半導(dǎo)體潔凈廠房中的四大污染物         上海

污染是可能將新興的芯片生產(chǎn)工業(yè)扼殺于搖籃中的要問題之一質生產力。半導(dǎo)體工業(yè)起步于由航空工業(yè)發(fā)展而來的潔凈室技術(shù)。如今力量，大規(guī)模的復(fù)雜的潔凈室輔助工業(yè)已經(jīng)形成最深厚的底氣，潔凈室技術(shù)也與芯片的設(shè)計及線寬技術(shù)同步發(fā)展敢於挑戰。通過不斷地解決在各個芯片技術(shù)時代所存在的污染問題，這一工業(yè)自身也得到了發(fā)展應用擴展。以前的一些小問題過程中，有可能成為當(dāng)今芯片生產(chǎn)中足以致命的缺陷。

半導(dǎo)體潔凈廠房

半導(dǎo)體器件易受到多種污染物的損害建立和完善。這些污染物可歸納為以下四類特征更加明顯。分別是：

1. 微粒 

2. 金屬離子 

3. 化學(xué)物質(zhì) 

4. 細(xì)菌

      微粒。半導(dǎo)體器件啟用，尤其是高密度的集成電路，易受到各種污染的損害。器件對于污染的敏感度取決于較小的特征圖形的尺寸和晶片表面沉積層的薄度活動上。目前的量度尺寸已經(jīng)降到亞微米級達到。一微米（µm）是小的。一厘米等于10大型，000微米的可能性。人的頭發(fā)的直徑為100微米。這種小的器件尺寸導(dǎo)致器件易受到由人員不可缺少，設(shè)備和工藝操作用使用的化學(xué)品所產(chǎn)生的存在于空氣中的顆粒污染的損害系列。由于特征圖形尺寸越來越小，膜層越來越薄服務為一體，所允許存在的微粒尺寸也必須被控制在更小的尺度上方案。

     由經(jīng)驗所得出的法則是微粒的大小要小于器件上zui小的特征圖形尺寸的1/10倍1。直徑為0.03微米的微粒將會損害0.3微米線寬大小的特征圖形相互配合。落于器件的關(guān)鍵部位并毀壞了器件功能的微粒被稱為致命缺陷統籌發展。致命缺陷還包括晶體缺陷和其它由于工藝過程引入帶來的問題。在任何晶片上重要的角色，都存在大量的        微粒空間載體。有些屬于致命性的體製，而其它一些位于器件不太敏感的區(qū)域則不會造成器件缺陷優化服務策略。1994年， SIA將0.18微米設(shè)計的光刻操作中的缺陷密度定為0.06微米135個示範，每平方厘米每層技術節能。

     金屬離子。半導(dǎo)體器件在整個晶片上N型和P型的摻雜區(qū)域以及在的N/P 相鄰區(qū)域，都需要具有可控的電阻率延伸。通過在晶體和晶片上有目的地?fù)诫s特定的摻雜離子來實現(xiàn)對這三個性質(zhì)的控制有很大提升空間。少量的摻雜物即可實現(xiàn)我們希望的效果。但遺憾的是，在晶片中出現(xiàn)的少量的具有電性的污染物也會改變器件的典型特征認為，改變它的工作表現(xiàn)和可靠性參數(shù)。

      可以引起上述問題的污染物稱為可移動離子污染物（MICs）國際要求。它們是在材料中以離子形態(tài)存在的金屬離子紮實。而且，這些金屬離子在半導(dǎo)體材料中具有很強(qiáng)的可移動性新趨勢。也就是說可能性更大，即便在器件通過了電性能測試并且運(yùn)送出去，金屬離子仍可在器件中移動從而造成器件失效新體系。遺憾的是使命責任，能夠在硅器件中引起這些問題的金屬存在于絕大部分的化學(xué)物質(zhì)中。

     鈉是在未經(jīng)處理的化學(xué)品中zui常見的可移動離子污染物搖籃，同時也是硅中移動性zui強(qiáng)的物質(zhì)持續創新。因此，對鈉的控制成為硅片生產(chǎn)的要目標(biāo)創新延展。MIC的問題在MOS器件中表現(xiàn)zui為嚴(yán)重性能，這一事實促使一些化學(xué)品生產(chǎn)商研制開發(fā)MOS級或低鈉級的化學(xué)品。這些標(biāo)識都意味著較低的可移動污染物的等級長效機製。

化學(xué)品強化意識。在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域第三大主要的污染物是不需要的化學(xué)物質(zhì)。工藝過程中所用的化學(xué)品和水可能會受到對芯片工藝產(chǎn)生影響的痕量物質(zhì)的污染深入。它們將導(dǎo)致晶片表面受到不需要的刻蝕合理需求，在器件上生成無法除去的化合物，或者引起不均勻的工藝過程基本情況。氯就是這樣一種污染物先進水平，它在工藝過程中用到的化學(xué)品中的含量受到嚴(yán)格的控制。

      細(xì)菌品質。細(xì)菌是第四類的主要污染物提供了遵循。細(xì)菌是在水的系統(tǒng)中或不定期清洗的表面生成的有機(jī)物。細(xì)菌一旦在器件上形成能運用，會成為顆粒狀污染物或給器件表面引入不希望見到的金屬離子利用好。